Transistor MOSFET Canal-N SYSCOM...

    Transistor MOSFET Canal-N SYSCOM IRF-640 para Inversores SAMLEX

    Syscom towers

    IRF-640

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    Transistor MOSFET Canal-N de 200 Voltios y 18 Amperios diseñado para Inversores SAMLEX de 125 Vatios. Presentación en TO-220AB.

     
    Transistor MOSFET Canal-N SYSCOM IRF-640, ideal para aplicaciones en Inversores SAMLEX de hasta 125 vatios. Con una capacidad de 200 Voltios y 18 Amperios, este componente garantiza un funcionamiento eficiente y confiable. Su presentación en TO-220AB facilita su instalación y manejo.

    MOSFET Canal-N, 200 Volt, 18 A., para Inversores SAMLEX, 125 Watt, TO-220AB.


    MOSFET Canal-N, 200 Volt, 18 A., para Inversores SAMLEX, 125 Watt, TO-220AB.

    MOSFET Canal-N, 200 Volt, 18 A., para Inversores SAMLEX, 125 Watt, TO-220AB.
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