Memoria Flash Integrada UFS 4.1 de Kioxia

Mejora el rendimiento y la eficiencia energética de tus dispositivos móviles con la memoria flash integrada UFS 4.1 de Kioxia.La memoria flash integrada UFS 4.1 de Kioxia está diseñada para satisfacer las demandas de las aplicaciones móviles de próxima generación, incluyendo smartphones avanzados con inteligencia artificial incorporada. Esta memoria ofrece un rendimiento mejorado con mayor eficiencia energética en un paquete BGA compacto.Características clave:- Capacidades disponibles: 256 GB, 512 GB y 1 TB. - Mejora del rendimiento respecto a la generación anterior: - Escrituras aleatorias: 512 GB / 1 TB aproximadamente +30%. - Lecturas aleatorias: 512 GB aproximadamente +45%, 1 TB aproximadamente +35%. - Mejora de la eficiencia energética respecto a la generación anterior: - Lecturas: 512 GB / 1 TB aproximadamente +15%. - Escrituras: 512 GB / 1 TB aproximadamente +20%. - Desfragmentación iniciada por el host que permite una recolección de basura retrasada para un rendimiento rápido e ininterrumpido durante momentos críticos. - Redimensionamiento del búfer WriteBooster que proporciona mayor flexibilidad para un rendimiento óptimo. - Soporte del estándar UFS 4.1. - Reducción de la altura del paquete para el modelo de 1 TB en comparación con la generación anterior. - Utiliza la memoria flash 3D BiCS FLASH™ de 8ª generación de Kioxia.Esta memoria está construida con la innovadora tecnología CBA (CMOS directamente unido a la matriz) de Kioxia, que permite importantes mejoras en eficiencia energética, rendimiento y densidad al unir directamente la circuitería CMOS con la matriz de memoria. Esto resulta en una experiencia de usuario mejorada, permitiendo descargas más rápidas y un rendimiento de aplicaciones más fluido.